额定电压：650-1200V

额定电流：2-60A

产品特点：碳化硅肖特基二极管相比普通的PN结势垒二极管具有导通压降低，开关速度快、0反向恢复、耐高温的优点。

应用领域：碳化硅肖特基二极管可应用于光伏逆变器、高频电源、高性能服务器电源、充电桩充电模块等领域。

额定电压：650-1200V

额定电流：30-100A

产品特点：碳化硅场效应晶体管（SiC MOSFET）具有更低的导通电阻，更高的工作频率，开关损耗大幅降低，SiC MOSFET与Si IGBT器件相比可降低开关损耗70%，高温特性好、稳定性高。

应用领域：SiC MOSFET可应用于开关电源、光伏逆变器、充电桩充电模块、新能源汽车OBC、DC/DC等。

产品类型：磷化铟、锑化镓、砷化铟

产品特点：

· 磷化铟（InP）：具有电子极限漂移速度高、耐辐射性好、导热好的优点。适用于制造高频、高速、大功率微波器件和集成电路。

· 锑化镓（GaSb）：是Ⅱ类超晶格非制冷中长波红外探测器及焦平面阵列的关键材料，产品具有长寿命、轻量化、高灵敏度、高可靠性等优点，可广泛应用在红外激光器、红外探测器、红外传感器、热光伏电池。

· 砷化铟（InAs）：可用于制作波长2—12μm的红外发光器件及中红外量子级联激光器。这些红外器件在气体检测、低损耗光纤通信领域有良好的应用前景。