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SiC SBD CGF1S12010

电压1200V,电流10A,TO-263封装,0反向回复特性,高频、高可靠性。

SiC SBD CGE1S12020

电压1200V,电流20A,TO-247-3封装,0反向回复特性,高频、高可靠性。

SiC SBD CGK1S12020

电压1200V,电流20A,TO-247-2封装,0反向回复特性,高频、高可靠性。

SiC SBD CGC1S12020

电压1200V,电流20A,TO-220封装,0反向回复特性,高频、高可靠性。

SiC SBD CGE1S12040

电压1200V,电流40A,TO-247-3封装,0反向回复特性,高频、高可靠性。

SiC MOSFET CGE1M065020

电压650V,导通电阻20mΩ,TO-247封装,频率高、开关损耗低等优点。

SiC MOSFET CGE1M120030

电压1200V,导通电阻30mΩ,TO-247封装,频率高、开关损耗低等优点。

SiC MOSFET CGE1M120060

电压1200V,导通电阻60mΩ,TO-247封装,频率高、开关损耗低等优点。

混合碳化硅功率模块 HHF300R12LE4N

电压1200V,电流300A,EconoDUAL封装,具有开关损耗低的优点。

混合碳化硅功率模块 HHF450R12LE4N

电压1200V,电流450A,EconoDUAL封装,具有开关损耗低的优点。

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