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混合碳化硅功率模块 HHF600R12LE4N

电压1200V,电流600A,EconoDUAL封装,具有开关损耗低的优点。

全碳化硅功率器件 CHF300R12KC3

电压1200V,电流300A,62mm封装,具有大功率、高频率、高可靠性等优点。

全碳化硅功率器件 CHF300R12LC3

电压1200V,电流300A,Econo DUAL封装,具有大功率、高频率、高可靠性等优点。

全碳化硅功率器件 CHF600R12LC3

电压1200V,电流600A,Econo DUAL封装,具有大功率、高频率、高可靠性等优点。

其他化合物半导体 GaSb

是Ⅱ类超晶格非制冷中长波红外探测器及焦平面阵列的关键材料,产品具有长寿命、轻量化、高灵敏度、高可靠性等优点,可广泛应用在红外激光器、红外探测器、红外传感器、热光伏电池等

其他化合物半导体 InAs

可用于制作波长2——12μm的红外发光器件及中红外量子级联激光器。这些红外器件在气体检测、低损耗光纤通信领域有良好的应用前景。

其他化合物半导体 InP

具有电子极限漂移速度高、耐辐射性好、导热好的优点。适用于制造高频、高速、大功率微波器件和集成电路。

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